Electronic properties of doped silicon nanocrystals
No presente trabalho estuda-se, através de modelação computacional baseada na teoria do funcional da densidade, os efeitos de impurezas em nanocristais de silício passivados com hidrogénio. São calculados os níveis de energia das impurezas intersticiais mais propícias à dopagem de tipo-n e p para os...
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | masterThesis |
| Idioma: | eng |
| Publicado em: |
2010
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| Assuntos: | |
| Texto completo: | http://hdl.handle.net/10316/13812 |
| País: | Portugal |
| Oai: | oai:estudogeral.sib.uc.pt:10316/13812 |