Memristive properties in GaN HEMTs affected by deep-level traps
Nesta dissertação de Mestrado nós avaliamos as características da corrente do canal de um GaN High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) pelas suas características memristivas. Utilizando uma implementação do modelo físico de SRH em Matlab e diversas medidas experimentais pulsadas I-V e resultados...
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | masterThesis |
| Idioma: | eng |
| Publicado em: |
2018
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| Assuntos: | |
| Texto completo: | http://hdl.handle.net/10773/23614 |
| País: | Portugal |
| Oai: | oai:ria.ua.pt:10773/23614 |