Ab initio modeling of boron related point defects in amorphous silicon
O presente trabalho tem como principal objectivo modelar os defeitos pontuais de boro em silício amorfo, usando um método ab initio, o código de teoria da densidade funcional – pseudopotencial (AIMPRO). Os complexos de boro foram introduzidos em supercélulas de 64 átomos de silício. Os defeitos de b...
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | masterThesis |
| Idioma: | eng |
| Publicado em: |
2012
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| Assuntos: | |
| Texto completo: | http://hdl.handle.net/10773/9211 |
| País: | Portugal |
| Oai: | oai:ria.ua.pt:10773/9211 |