| Summary: | A utilização de tecnologias nanométricas em CMOS beneficia de uma maior integração, pois apresenta uma complexidade superior, e, portanto, a procura de um sistema que tenha custos cada vez mais baixos impulsiona para circuitos mais autónomos sem a utilização de circuitos com componentes externos ou calibrações externas. Nesta dissertação efetuou-se um estudo da literatura, por circuitos de referência de tensão ou corrente, que utilizem condensadores comutados e que sejam insensíveis ao Processo, Tensão e Temperatura (PVT), sem a utilização de componentes externos, tirando partido da integração à escala nanométrica e da tecnologia CMOS. Simulou-se, na tecnologia CMOS 28nm, circuitos de referência convencionais e circuitos com condensadores comutados, com posterior comparação dos resultados. A utilização de condensadores comutados ao invés de resistências é uma mais-valia, uma vez que são mais estáveis e menos sensíveis ao processo e temperatura, para além que ocupam uma menor área de silício.
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