| Summary: | O estudo dos nitretos, de elementos do grupo III, semicondutores transparentes no visível, tem registado nos últimos anos um enorme avanço, dado o crescente interesse pelos mesmos, quer na forma de slmes finos, quer em monocristais. Estes materiais apresentam-se como fortes candidatos para servirem de base a componentes de semicondutores a operarem na zona da radiação electromagnética do azul e ultra-violeta, zonas estas não abrangidas pelos semicondutores convencio&is. Assim espera-se um enorme impacto destes materiais na electrónica e optoelectrónica, em aplicações gráficas e de memórias de alta densidade. As suas fortes ligações atómicas torna- -os também candidatos para aplicações em equipamentos de elevada potência e elevada temperatura, sendo também resistentes à corrosão. Neste trabalho efectuou-se o estudo das emissões observadas sensivelmente a meio da banda de emissões proibidas (adiante designado como "gap") em epicamadas de GaN crescido sobre carboneto de silício e safira. A caracterização das amostras foi realizada utilizando como técnicas experimentais a espectroscopia em estado estacionário e resolvido no tempo, e catodoluminescência. A dependência com a temperatura da intensidade e os tempos de vida das emissões em estudo, permitiram estabelecer modelos de recombinação dos diferentes centros ópticos.
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