RFID Logic circuit with oxide TFTs modeled by genetic algorithms - Gameiro, Tiago Jorge dos Santos (2018)
Nos últimos anos, a necessidade por técnicas de identificação com velocidades de leitura superiores e maior flexibilidade relativamente à memória e programabilidade, levaram ao desenvolvimento de tecnologias de identificação de rádio frequência (RFID). Esta tecnologia já provou o seu valor no futuro da Internet das coisas (IoT), ao permitir a possibilidade de marcar qualquer tipo de produto facilmente e com baixo custo por etiqueta, enquanto possibilita a conexão deste tipo de etiquetas com smartphones para aumentar a ligação entre os dispositivos RFID e a vida quotidiana. Além disto, a introdução de transístores de filme fino (TFT) de óxidos amorfos em circuitos RFID, abre um novo mundo de aplicações, visto que este tipo de dispositivos permite o uso de substratos transparentes e/ou flexíveis, devido à possibilidade de usar baixas temperaturas durante o processo de fabrico para este tipo de transístores. Neste trabalho, foi usado o Modelo a-Si Nível 61 com a ajuda de algoritmos genéticos para criar modelos de transístores de a-IGZO produzidos com um dielétrico de porta depositado por métodos de solução usando spin-coating. Com estes modelos, foi dimensionado um circuito digital de RFID, usando uma topologia em que o transístor de carga está em configuração de díodo, para ler uma memória ROM de 16-bit e posteriormente codificar o sinal através de uma codificação de Manchester com uma taxa de transferência de 14 kbit/s. Este tipo de circuitos utilizando substratos transparentes e/ou flexíveis pode possibilitar no futuro a criação de embalagens inteligentes para bens domésticos e a posterior integração numa configuração de frigoríficos inteligentes. Isto significa que poderá ser possível uma pessoa ser avisada quando é necessário comprar um produto ou quando ultrapassa o prazo de validade.